Intel baut kleinere Elektronen-Türchen

Intel arbeitet jetzt mit Hochdruck an Halbleitern mit drei Gates. Mit der Neuerung hofft der Hersteller, die wachsenden Abgrenzungs- und Wärmeprobleme in den Griff zu bekommen, die mit der Miniaturisierung der Leiterbahnbreite einhergehen.

Kernidee von Tri-Gate ist es, die Oberfläche eines Gates deutlich zu vergrößern: Sie sind deshalb ähnlich einer Tunnelröhre aufgebaut, an deren Innenwänden Spannung anliegt. So kann ein gleichmäßigerer Elektronenfluss ermöglicht werden.

Größere Leistungsfähigkeit und weniger Verluste könnten auf diese Weise erzielt werden, hieß es von Intel auf dem Fachkongress ‘Very Large Scale Integration’ im japanischen Kyoto. Intel muss hier deutliche Verbesserungen erreichen, um in den kommenden Jahren die Fertigung in 45-Nanometer-Technik durchsetzen zu können. Die Gates werden dann nach Einschätzung von Experten nur noch Längen von 20 Nanometern erreichen.

Tri-Gate findet sich jetzt offiziell auf der “Pathfinder”-Roadmap des Konzerns. Damit sei mit ersten kommerziellen Einsätzen der Technologie in vier Jahren zu rechnen, heißt es bei Intel. Inzwischen habe man die Forschung verlassen und befinde sich bereits in der Entwicklungsphase.

Mit Tri-Gate könne Moores Gesetz weiter bestand haben, so das Unternehmen. Bisher hat sich die Zahl der Transistoren auf einem Chip tatsächlich etwa alle 18 bis 24 Monate verdoppelt und damit Intel-Gründer Moore bestätigt.