AMD-Forscher haben 30 Prozent schnellere Transistoren entwickelt als der Standard es bisher ermöglicht. Diesen Erfolg sehen die Forscher als bedeutenden Meilenstein für die Entwicklung von Transistoren der nächsten Generation. Der bisher schnellste Transistor war der PMOS (P-Kanal Metal-Oxide Semiconductor).
Die Basis für diesen bedeutenden Fortschritt bilden die sogenannten “Fully Depleded Silicon-on-Insulator”, heißt es. Durch sie gelang die Entwicklung eines High-Performance Transistors, der mit höherer Performance und geringeren Leckströmen arbeitet. Sie sollen sogar mit einer niedrigeren Versorgungsspannung auskommen, heißt es in einer Pressemeldung.
Im Laufe dieser Laborarbeiten seien die Forscher auch auf den brachenweit ersten “Strained Silicon” Transistor gekommen. Anstelle von herkömmlichen “Strained Silicon”-Komponenten kam es hierbei zum Einsatz von Metall-Gasen. Die ausführlichen Ergebnisse zu der Forschungsarbeit will das Unternehmen im Juni präsentieren.
“Durch die Entwicklung dieser Transistoren können wir unseren Design-Teams genau die Bausteine zur Verfügung stellen, mit denen sich die von unseren Kunden geforderten Lösungen realisieren lassen”, verkündet Craig Sander, Vize Präsident des Process Technology Development bei AMD.
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