AMD stellt Triple-Gate Transistoren vor
AMD stellt Triple-Gate Transistoren vor und verspricht um 50 Prozent schnellere Schaltzeiten.
Der amerikanische Prozessorhersteller Advanced Micro Devices (AMD) hat auf der internationalen Fachkonferenz ‘Solid State Devices and Materials’ in Tokio einen neuen Triple-Gate-Transistor vorgestellt, der die Halbleiterindustrie wohl einen großen Schritt nach vorne bringen wird. AMD verspricht um 50 Prozent kürzere Schaltzeiten des Halbleiters, da vor allem die Leitfähigkeit erhöht werden kann.
Die Amerikaner setzen dabei auf Silicon-on-Insulator sowie neue Metallgatter-Verfahren. Das Design sei allerdings kompatibel zu den heute verwendeten Herstellungsprozessen. Bereits in vier Jahren sei mit dem Einsatz in der Massenfertigung zu rechnen, heißt es.
Bei der Herstellung wird laut AMD die eigentliche Leiterbahn auf drei Seiten von einer Nickel-Silizium-Legierung umgeben. Damit könne die Leitfähigkeit erhöht werden, die Wärmeproduktion soll gleichzeitig vermindert werden. Während die Leiterbahnbreite immer weiter abnimmt, kämpfen die Hersteller allgemein mit dem Problem, die entstehenden Wärmemengen schnell abzutransportieren, da sonst die Leitfähigkeit abnimmt.
