NEC macht Nano-Transitoren (fast) marktreif

Der japanische Computerkonzern NEC meldet einen neuen Durchbruch in der Nano-Forschung. Es sei ein stabilerer Prozess zur Herstellung von integrierten Nanoröhrchen-Transistoren gefunden worden. Auf der japanischen Fachmesse “International Conference on Solid State Devices and Materials” präsentierten die Forscher und Manager des Konzerns das neue Verfahren der Fachwelt.
Die Forscher wollen einer Meldung des Unternehmens zufolge bewiesen haben, dass die 1991 im Hause von NEC von dem Tokioter Professor Sumio Iijima entwickelten ‘Carbon Nano Tube’-Transistoren (CNT) etwa zehnmal schneller arbeiten als herkömmliche Silizium-Transistoren. Dies sei gewährleistet, so heißt es weiter, durch geringeren Widerstand zwischen den CNTs und den Elektroden, sowie durch eine zwanzigfache Verstärkung der Leistung. Eine deutlich größere Elektronenbeweglichkeit sei ebenfalls in der neuen Generation CNTs erreicht worden.

Die Fertigung beruht auf der selektiven Züchtung von Nano-Röhrchen auf mit Katalysatormaterial beschichteten Silizium-Substraten: Die in einem Verdampfungsprozess wachsenden Röhrchen entstehen nur dort, wo der Katalysator aufgebracht wurde. So will NEC in der Herstellung und Vermarktung hochintegrierter, ultraschneller Nano-Schaltkreise seine Spitzenposition ausbauen. Der erste marktreife Transistor, der nach dem genannten Verfahren hergestellt wurde, soll 2010 das Labor verlassen.