Japaner entwickeln Alternative für Halbleiter

Bei der Herstellung von Siliziumkarbid, einem Material für die Herstellung von Halbleitern, ist japanischen Forschern ein entscheidender Schritt gelungen. So konnten die ‘Toyota Central Research and Development Laboratories’ in Nagakute jetzt ein Methode entwickeln, mit der beinahe perfekte Siliziumkarbid-Kristalle hergestellt werden können, meldet das Magazin Nature.
Bislang konnte sich das Material für Halbleiter nicht durchsetzten, da es nicht gelang, ausreichend große Kristalle zu züchten. Dabei liegen die Vorteile des Materials gegenüber herkömmlichen Silizium auf der Hand. So ist das Karbid strahlungsresistenter, robuster und auch wesentlich hitzebeständiger. Zudem kann es höhere Ladungen und Stromstärken verkraften. So erschließen sich neue Einsatzmöglichkeiten, zum Beispiel für die Raumfahrt oder etwa für die Regulierung von Düsentriebwerken.

Die Forscher rund um Kazumasa Takatori züchten nun die Kristalle in verschiedenen Stufen. Der Kristall wird nur auf reinsten Flächen aufgedampft. Bislang führten die herkömmlichen Versuche zu Resultaten, bei denen etwa die Hälfte des Materials unbrauchbar war. Es bildeten sich Tunnel in dem Kristall, wodurch der Einsatz in elektronischen Geräten nicht mehr wirtschaftlich sinnvoll war. Jetzt ist sich Takatori sicher, dass Siliziumkarbid “eines der besten Materialien für Elektrogeräte mit sehr starkem Strom ist”.