Neues Fraunhofer-Zentrum für Nanoelektronische Technologien

Die Fraunhofer-Gesellschaft baut ab dem 1. Dezember in Dresden ein Fraunhofer-Zentrum für Nanoelektronische Technologien (CNT) auf. Das Zentrum soll ausgewählte Prozessschritte für die Fertigung von High-Density-Speicherbausteinen und High-Performance-Mikroprozessoren erforschen.
Zur Zeit liefen noch Verhandlungen mit AMD und Infineon über die Ausgestaltung des Kooperationsvertrags, teilte Prof. Hans-Jörg Bullinger, Präsident der Fraunhofer-Gesellschaft, mit. Ziel sei es, Mitte nächsten Jahres den Betrieb aufzunehmen. Der Vertrag sehe zunächst eine Laufzeit von fünf Jahren vor – an deren Ende werde eine gemeinsame Evaluation stehen.

Etwa 100 Entwicklungs- und Fertigungsingenieure sollen in der Einrichtung zusammenarbeiten. Für die Erstausstattung sind 80 Millionen Euro vorgesehen, die vom Freistaat Sachsen und dem Bund getragen werden. AMD und Infineon planen in Abstimmung mit der Fraunhofer-Gesellschaft in den nächsten fünf Jahren Forschungsprojekte mit einem Volumen von etwa 170 Millionen Euro.

Damit werde Dresden auf dem Gebiet der Nanoelektronik zu einem der wichtigsten Forschungsstandorte in Europa, hieß es. “Das CNT hat das Potenzial, ein europäisches Forschungszentrum zu werden – vergleichbar mit dem LETI in Frankreich und dem IMEC in Belgien”, so Bullinger.

Silicon-Redaktion

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