Das im Oktober 2004 angekündigte ‘Fraunhofer-Center Nanoelektronische Technologien’ (CNT) wurde am 31. Mai in Dresden eröffnet. Wissenschaft und Wirtschaft entwickeln darin in einer ‘Public Private Partnership’ neue Technologien für die Nanoelektronik. Der Sprung von der Mikro- zur Nanoelektronik sei eine große Herausforderung für die Halbleiterindustrie, hieß es zur Eröffnung.
“Das Center steht für eine neue Art der Verzahnung von Forschung und Fertigung”, sagte Alfred Gossner, Vorstand der Fraunhofer-Gesellschaft. Das CNT sei ein Teil der europäischen Initiative ENIAC (European Nanoelectronic Initiative Advisory Council) zur Stärkung der Nanoelektronik. “Wie IMEC in Belgien und LETI in Frankreich wird das CNT direkt mit der Industrie zusammenarbeiten.” Das Center sei die europäische Antwort auf Initiativen wie Selete in Japan und Sematech in den USA. “Mit dem CNT wird Dresden zu einem wichtigen Forschungsstandort für die Nanoelektronik in Europa.”
Die Gründung des Centers war im August 2004 von AMD, dem Bundesforschungsministerium, der Fraunhofer-Gesellschaft, Infineon und dem Freistaat Sachsen vereinbart worden. “Jetzt stehen im Fertigungsgelände von Infineon 800 Quadratmeter Reinraumfläche sowie eine moderne Infrastruktur zur Verfügung”, hieß es von Peter Kücher, Leiter des CNT. In der Siliziumtechnik liege ein großes Potenzial. Neue Erkenntnisse auf dem Feld der Lithographie ermöglichten es, Hürden auf dem Weg zur Strukturverkleinerung der Prozessoren zu überwinden. “Jüngster Hoffnungsträger ist die Immersions-Lithografie, die bisher in der Mikroskopie eingesetzt wurde, aber nun für die Serienproduktion der Chips entdeckt wurde”, so Kücher.
“Mit dem CNT können wir Prozesslösungen schnell entwickeln und direkt in die Fertigungsumgebung transferieren”, sagte Andreas von Zitzewitz, Mitglied des Infineon-Vorstandes. Dass sei angesichts der kurzen Lebensdauer von Technologien und der wachsenden Entwicklungskosten “eine der kritischsten Aufgaben in der Halbleiterindustrie”.
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