Intel spart Strom

Ein neues Fertigungsverfahren für stromsparende Halbleiter soll die Lebensdauer von Batterien in mobilen Geräten wie Handhelds oder Telefonen verlängern, teilte Intel mit. In herkömmlichen Chips wird nur etwa die Hälfte der eingesetzten Energie für Berechungen verwendet. Der Rest entweicht als Reibungswärme oder verpufft in den Transistoren in so genannten Leckströmen.

P1265 nennt sich der neue Fertigungsprozess, der auf 65 Nanometer-Technologie basiert. Ab 2007 werden dann neue Chips im ‘Ultra-Low-Power’-Verfahren hergestellt werden. Dabei setzt der Hersteller auf dünnere Kupfer-Verbindungen zwischen den einzelnen Transistoren, die helfen sollen, Stromverluste einzudämmen. Metallverbindungen sollen hingegen stärker gemacht werden, um den Widerstand abzusenken. Im Vergleich zum Vorgänger-Prozess würden Verluste um den Faktor 1000 verringert.

“Sobald die Zahl der Transistoren die Marke von einer Milliarde überschreitet, ist es logisch, dass Verbesserungen am einzelnen Transistor sich zu einem Riesenvorteil für das ganze Gerät aufsummieren”, erklärte Mark Bohr, Intel Senior Fellow. Seit etwa zwei Jahren erforsche ein Team, ob man die Vorteile des 65-Nanometer-Prozesses nicht auch auf andere Bereiche ausweiten könne.