FRAM – Epson und Fujitsu heben Speichertechnik auf neues Niveau
Seiko Epson und Fujitsu Limited haben gemeinsam ein Projekt abgeschlossen, das sich mit besserer Speicherung nach ferromagnetischem Verfahren befasst hatte.
Die FRAM-Technik (Ferroelectric Random Access Memory) ist eine nichtvolatile Speichertechnik. Ähnlich wie bei Flash-Speichern bleiben die Informationen auch ohne das Anlegen von Spannung erhalten. Für die Datenspeicherung zuständig ist dabei ein ferroelektrischer Film.
Das 2005 gestartete Forschungsprojekt brachte jetzt, wie es aus Tokio heißt, die gewünschten Ergebnisse: Die beiden Firmen haben ein Verfahren entwickelt, das eine neue Art von ferroelektrischer Schicht herstellen, bestücken und messen kann. Diese ist hochgradig dicht, spart Energie und ermöglicht es, eine FRAM-Kernprozesstechnik zu schaffen, die viermal so effektiv arbeitet wie die Vorgängertechnik.
Das hat, einer Mitteilung der Konzerne zufolge, große Auswirkungen auf die Schreib-/Lesefähigkeit der Chips. Mehr als hundert Billionen Schreib-/Lesezyklen seien damit zu schaffen. Diese Prozesse könnten bis zu dreimal schneller ablaufen wie bisher gewohnt. Da das Verfahren heute übliche CMOS-Logikprozesse nicht stört, können FRAM-Sektionen auf einem herkömmlichen Chip einfach hinzugefügt werden. Das ist einer der Gründe, warum das als Nischentechnik geltende Verfahren immer weiter Interesse erregt. Von der Produktreife ist die Neuerung von Fujitsu und Epson allerdings noch entfernt.
Die Firmen teilten jedoch mit, den entscheidenden Durchbruch für die Massenproduktion in der Entwicklung geschafft zu haben. Epson will das Verfahren für Large Scale Integrated Circuits (LSI) in batteriegetriebenen Geräten verwenden; Fujitsu plant den Einsatz der Technik als embedded FRAM für die Kunden aus Security-sensiblen Branchen.
