Die neuen Vereinbarungen sehen die gemeinsame Entwicklung einer 32-nm-Bulk-CMOS-Prozesstechnik (Complementary Metal Oxide Semiconductor) und die Fertigung von Process Design Kits (PDKs) zur Unterstützung dieser Technik vor.
Aufbauend auf der bisherigen gemeinsamen Produktion von Halbleitern in den Strukturgrößen 45, 65 und 90 Nanometer wollen die Kooperationspartner Chips mit Strukturgrößen von 32 Nanometern herstellen. Wie die Unternehmen mitteilten, arbeiten sie bis zum Jahr 2010 beim Design, der Entwicklung und in der Produktion zusammen.
IBM, Chartered und Samsung werden die 32-nm-Prozesstechnik und die Process Design Kits für eine einheitliche Ausrichtung ihrer Produktionsstätten nutzen. In der Fertigung der Partner kommen zudem einheitliche elektrische Spezifikationen zum Einsatz.
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