Neue Speichertechnik von IBM und TDK

Beide Unternehmen setzen auf die Spin-Torque-Transfer (STT)-Technologie. Dabei wirkt elektrischer Strom auf ein magnetisches Feld ein, um die Richtung des Feldes zu verändern (hoch-runter oder links-rechts). Diese Magnetfeldänderung soll eine Veränderung des Widerstandes bewirken, was als 1 oder 0 interpretiert werden kann.

IBM und TDK wollen den 65-Nanometer-Prototyp der Technologie in den kommenden vier Jahren entwickeln. Die 65-Nanometer-Technologie wird derzeit schon für die Herstellung von Prozessoren verwendet, doch die meisten Chips werden noch mit älteren Methoden erstellt.

Für Bill Gallagher, Memory-Manager bei IBM, sind STT-RAM (Random Access Memory) und Phasen-Umwandlungs-Memory die zwei heißen Kandidaten für die zukünftigen kommerziellen Speicherangebote. STT-RAM ist schneller und könnte auch eine längere Lebenszeit haben, denn bei der Phasen-Umwandlung werden mikroskopische Teile des Chips auf mehrere Hundert Grad erhitzt. Dies verändert die Struktur des kristallinen Materials. Allerdings sei die Technologie mit Phasen-Umwandlung dichter, hieß es aus den Labors.

Bisher hat IBM an einem eher konventionellen Typ der magnetischen Speicher, genannt MRAM (Magnetic RAM), gearbeitet. Dabei hatte das Unternehmen Probleme, die Transistoren auf den Chips zu verkleinern. “Wenn man den MRAM kleiner machen will, muss man das magnetische Feld verstärken und das wird irgendwann unmöglich. Um auf 65 Nanometer zu kommen, mussten wir ein neues Verfahren finden, wie die Information geschrieben werden kann”, erklärte Gallagher.

IBM erzielt zwar den meisten Umsatz durch Services und Server, doch darüber hinaus auch einen beachtlichen Teil durch Chips und Lizenzen. Memory sei dabei eine grundlegende Komponente für die Herstellung von Chips. “Man kann kein System-on-a-Chip ohne irgendeine Art von Speicher zu entwickeln”, sagte Gallagher über das Engagement des Unternehmens.