Diese Vermutung ergab sich aus vielen Gesprächen, die auf den Gängen während des diesjährigen Flash Memory Summit geführt wurden. Beobachter erwarten von Intel und STMicroelectronics eine Ankündigung ihrer Pläne in Sachen ‘Phase Change Memory’ (PCM).
Intel-Mitbegründer Gordon Moore hatte sich bereits im Jahr 1970 zu den Vorteilen dieser Art des nichtflüchtigen Speichers geäußert. Konkreter wurde Intel-CTO Justin Rattner dieses Jahr auf dem ‘Intel Developer Forum’ in Peking. “Später im Jahr” antwortete er auf die Frage, wann die erste Großserie mit Phasenwechsel-Speicherchips zu erwarten seí.
Während des Flash Memory Summit wollte Greg Komoto, Chefplaner für Intels Flash-Memory-Sparte, nur die Existenz von ersten 90-Nanometer-Mustern von PCM-Halbleitern bestätigen. Künftig sieht er in PCM einen möglichen Ersatz für NAND-Flash, der bevorzugt in MP3-Playern verbaut wird. “Es gibt keinen anderen Speicher, der dieses Potential für eine günstige Massenfertigung und so viele andere Attribute hat”, sagte Komoto über PCM.
Numonyx, das für die Entwicklung von Speicherchips gegründete Joint Venture von Intel und STMicroelectronics, hatte im vergangenen Monat bekannt gegeben, man wolle Speicher für den Konsumentenmarkt entwickeln. Weitere Details wolle man noch in diesem Jahr mitteilen.
Die Bezeichnung Numonyx ähnelt dem Namen Ovonyx – dem Titel des Unternehmens, das die grundlegenden Technologien für PCM entwickelt hat und an Firmen wie Intel lizenziert. “Mir sagt diese Schreibweise eine Menge”, sagte Jim Handy, Analyst bei Objective Analysis.
Wenn er auch keine Nachfolgetechnik benannte, so beschwor auch SanDisk-CEO Eli Harari auf dem Flash Memory Summit das Ende von NAND-Flash herauf. Er äußerte die Ansicht, dass NAND-Flash in etwa sieben Jahren seine Grenzen erreicht haben wird.
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