Derzeit liegt die feinste Fertigung von Halbleitern im industriellen Einsatz bei 45 Nanometern. Die kommenden Generationen von Prozessoren werden mit 32 und 22 Nanometern gefertigt werden. Durch diese extrem feine Strukturierung des Materials können auch minimalst wirksame Materialeigenschaften eine große Auswirkung auf die einzelnen Transistoren haben.
Nun wollen sich die Forscher auf 32 Nanometer und noch kleinere Formate konzentrieren. Mit neuen Messungsmethoden und Analysen einzelner Transistoren wollen die Forscher die physikalischen Gesetze der Halbleiter besser ergründen.
Die gemeinsamen Forschungen sollen in Thomas J. Watson Research Center in Yorktown Heights und dem College of Nanoscale Science and Engineering an der Universität Albany stattfinden. Dabei sollen Hitachis Charakterisierungs-Technologien mit IBMs CMOS-Erfahrungen kombiniert werden.
“Hitachis Erfahrung bei der analytischen Instrumentation und der Physik von Halbleitern kann einen wertvollen Beitrag für die Erforschung von Halbleitertechnologien leisten”, so Eiji Takeda, Vice President der Forschungsabteilung bei Hitachi.
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