Intel und Samsung sprechen sich bei Wafern ab

Damit wollen Intel, Samsung und TSMC die Voraussetzung für ein kontinuierliches Wachstum der Halbleiterindustrie schaffen.

Zugleich werde dadurch eine vernünftige Kostenstruktur für die Herstellung integrierter Schaltkreise sichergestellt. Die drei Unternehmen arbeiten mit der gesamten Halbleiterindustrie zusammen, um zu gewährleisten, dass die notwendigen Komponenten ebenso wie die Infrastruktur und Leistungsfähigkeit entsprechend entwickelt und getestet sind.

Mit den größeren Wafern können mehr Chips pro Waffel hergestellt werden. In der Vergangenheit sanken die Herstellungskosten bei der Vergrößerung der Wafer. Mit dem neuen Format sind laut Herstellerangaben mehr als doppelt so viele Chips pro Wafer möglich als mit Wafern der Größe 300 mm. Zudem werde durch die Vergrößerung auch der Energieverbrauch bei der Herstellung reduziert.

Ein gemeinsamer Zeitplan richtet sich vor allem an Zulieferer. Für die sollen durch den gemeinsamen Start die Risiken und Übergangskosten minimiert werden. Auch die Entwicklung von gemeinsamen Standards sowie das Erstellen und der Aufbau von Testumgebungen solle sich so ökonomischer gestalten lassen.

Bislang fand die Migration auf die nächst größeren Wafer stets im 10-Jahres-Rhythmus statt. So begann der Übergang zu 300 mm Wafern im Jahr 2001, die 200 mm Wafer wurden 1991 eingeführt. Vor diesem Hintergrund haben sich Intel, Samsung und TSMC auf den Wechsel zu 450 mm Wafern für 2012 verständigt.

“Unsere Industrie hat mittlerweile eine lange Innovationshistorie, die immer neue und weiterentwickelte Wafer hervorbrachte. Das Ergebnis sind sinkende Kosten je produziertem Silizium und ein Wachstum der gesamten Branche,” so Bob Bruck, Vice President und General Manager, Technology Manufacturing Engineering bei Intel.