Der Natur abgeschaut: Immersionslithographie treibt die Halbleitertechnik

Natürlich diskutieren einzelne Unternehmen über den besten Zeitpunkt für die Einführung neuer Herstellungsverfahren und verschieben oder beschleunigen die Umsetzung einer neuen Technologie um ein oder zwei Jahre. Die Fachpresse kommentiert dies oft in erschöpfenden Einzelheiten. Aber die eigentliche Nachricht lautet, dass die Gerüchte über das Ableben vom Mooreschen Gesetz stark übertrieben sind.

Dennoch bleibt die Frage weiterhin bestehen. Kaum haben wir die aktuellen Herausforderungen gelöst, taucht am Horizont schon die nächste Herausforderung auf. Wie lang kann dieser Verdichtungsprozess noch fortdauern? Der nächste Technologieschritt unter 45 Nanometer steht für das Jahr 2010 an und wird erneut Herausforderungen mit sich bringen.

In den Transistoren müssen neue metallische Werkstoffe verwendet werden, um Leckströme unter Kontrolle zu halten. Die Verbindungskabel aus Kupfer müssen in leichtere Materialien verpackt werden, um Nebensignaleffekte zwischen benachbarten Leitungen zu reduzieren. Und auch die Immersionslithographen sprechen davon, Wasser irgendwann einmal durch eine schwerere Flüssigkeit zu ersetzen, um so den Immersionseffekt zu verbessern.

Aber im Großen und Ganzen sieht es so aus, dass wir, nachdem wir das K.O.-Kriterium für die 45-Nanometer- Generation aus dem Weg geräumt haben, alles haben, was wir brauchen, um 2010 den nächsten Verdichtungsprozess zu realisieren. Und dann kommt der darauf folgende Schritt – und der Schritt danach.