Massenfertigung von DRAM-Nachfolger MRAM soll 2018 beginnen

Für den DRAM-Nachfolger Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) forschen mehr als 20 japanische und amerikanische Chipfirmen an gemeinsamen Techniken für die Massenproduktion. Der MRAM-Speicher soll laut einem Bericht von Nikkei Asian Review vor allem in mobilen Geräten eingesetzt werden.

Neben den japanischen Unternehmen Tokyo Electron, Shin-Etsu Chemical, Renesas Electronics und Hitachi gehört dem Konsortium auch Micron Technology an. Nikkei zufolge ist der US-Hersteller der zweitgrößte Anbieter von Dynamic Random Access Memory (DRAM) weltweit.

Mehrere Dutzend Forscher entsenden die Unternehmen an die Tohoku University in Nordjapan. Unter der Leitung von Professor Tetsuo Endoh sollen im Februar die Forschungen beginnen. Geplant ist, bis März 2017 eine Technologie für die Massenfertigung von MRAM zu entwickeln. Bis 2018 hoffe Micron, die Technik einsetzen zu können, berichtet Nikkei weiter.

Im Gegensatz zu gebräuchlichem DRAM speichert MRAM Informationen mit magnetischen und nicht mit elektrischen Ladungselementen. MRAM ist nicht flüchtig, bedarf aber höhere Spannungen als DRAM, um hohe Geschwindigkeiten erreichen zu können. Laut Nikkei soll MRAM die zehnfache Kapazität und auch die zehnfache Schreibgeschwindigkeit von DRAM erreichen können.

In dem Bericht heißt es, dass im Vergleich zu DRAM der Energieverbrauch dennoch nur bei etwa einem Drittel liege. Nicht nur die Leistung von Smartphones und Tablets könne MRAM so verbessern, sondern auch die Akkulaufzeit im Standby auf mehrere Hundert Stunden erhöhen.

Im Dezember 2012 hatte Toshiba bekannt gegeben, dass es bereits an MRAM-Speicher arbeite, um den in Smartphone-Prozessoren enthaltenen SRAM-Speicher zu ersetzen. Auf diese Weise will das japanische Unternehmen den Stromverbrauch mobiler CPUs um zwei Drittel verringern. Auch SK Hynix, Samsung und das inzwischen zu Micron gehörende Elpida Memory beschäftigen sich laut Nikkei mit MRAM. Sie kontrollierten zusammen 90 Prozent des DRAM-Weltmarkts.

[mit Material von Stefan Beiersmann, ZDNet.de]