Neuer mobiler DRAM-Chip von Samsung ermöglicht 4 GB
Mit einem neuen DRAM-Chip für Tablets und Smartphones erweitert Samsung die DRAM-Kapaziät auf 4 GByte in einem Chip. Neben höherer Leistung sinkt dadurch auch die Leistungsaufnahme.
Auf Basis von 8-Gigabit-Low-Power-Chips LPDDR3 hat Samsung die neuen Bauteile in 20-Nanometer-Technik gefertigt. Das neue Modul fasst bisher vier Bauteile in einem Chip zusammen.
Dadurch kann Samsung 50 Prozent mehr Performance und 40 Prozent weniger Energieaufnahme als in bisherigen LPDDR3-Chips (Low Power Double Data Rate 4) realisieren. Das neue Samsung-Verfahren ermöglicht den ersten Chip mit 8 Gbit-Speicher mit “Low Power Double Data Rate 4″ mit jeweils 3200 MBit/s pro Pin. Noch in diesem Jahr soll der Speicher an Samsung-Kunden gehen und auch auf eigenen Geräten des koreanischen Herstellers zum Einsatz kommen. Profitieren könnten insbesondere Tablet-, Notebook- und Smartphone-Modelle mit großem beziehungsweise hochauflösendem Bildschirm, etwa UHD-Auflösung.
Aktuell enthalten Smartphones der Oberklasse zumeist 2 GByte Speicher. Samsungs Phablet Galaxy Note kommt mit 3 GByte. Auf der CES nächste Woche wird Samsung voraussichtlich die nächste Generation Mobilprozessorreihe Exynos vorstellen.
Der chinesische Branchendienst mydrivers.com spricht von zwei neuen Modellen, die Exynos 6 und Exynos S heißen sollen. Der Exynos kombiniere demnach acht Kerne für eine heterogene Multiprozessor-Architektur. Er soll im Smartphone Galaxy S5 zum Einsatz komen.
Der Exynos S werde hingegen Samsungs erster 64-Bit-Prozessor und eineinhalbmal so schnell wie Qualcomms Snapdragon 800 sein und das Phablet Note 4 antreiben. Dass diese Geräte auch schon Teil von Samsungs Pressekonferenz auf der CES sein werden, gilt als eher unwahrscheinlich.
[mit Material von Manfred Kohlen und Florian Kalenda]
