SAP forscht gemeinsam mit Samsung an In-Memory-Technologie
Dazu wurde jetzt in Südkorea ein gemeinsame Zentrum für Forschung und Entwicklung eingerichtet. Dessen Einweihung ist Teil einer Erweiterung der bestehenden Partnerschaft der beiden Konzerne. SAP erhofft sich davon leistungsfähigere Angebote für Nutzer der HANA-Plattform.
Samsung und SAP haben in der südkoreanischen Stadt Hwaseong ein gemeinsames Zentrum für Forschung und Entwicklung eingeweiht. Dessen Mitarbeiter werden sich darauf konzentrieren, Speicherlösungen für In-Memory-Computing zu entwickeln und zu verbessern. Kunden können in dem Forschungszentrum außerdem In-Memory-Lösungen in Augenschein nehmen. Sie erhalten durch die Einrichtung zudem auch umfangreiche technische Unterstützung, etwa bei Testläufen der SAP-HANA-Plattform oder bei der Evaluierung von Samsungs-Speicherprodukten.
Die Einrichtung des Forschungszentrums ist Teil eines Ausbaues der Partnerschaft der beiden Konzerne. Sie wollen mit der erweiterten Zusammenarbeit die von SAP seit Jahren in den Mittelpunkt gestellte In-Memory-Technologie voranbringen. Ziele sind die schnellere Datenverarbeitung und bessere Analysen großer Datenmengen. Samsung soll dazu DRAM der nächsten Generation beisteuern. Auch bei der Vermarktung wollen die beiden Partner intensiver zusammenarbeiten.
Samsung werde durch ständige Innovation seine technologische Führung im Markt für Speicher mit hoher Dichte festigen, erklärt der für Samsungs Speichergeschäft verantwortliche Young-Hyun Jun in einer Pressemitteilung. “Zusammen mit Samsung Electronics werden wir die nächste Generation von In-Memory-Lösungen für Kunden entwickeln, die die SAP-HANA-Plattform nutzen”, verspricht darin zudem Adaire Fox-Martin, Präsidentin von SAP für die Region Asia Pacific Japan.
Der zum Zeitpunkt der Einweihung genutzte Server im Forschungszentrum greift auf eine In-Memory-Plattform mit 24 TByte zurück. Sie basiert auf 128-GByte-DRAM-Modulen vom Typ Samsung DDR4 3DS, die noch im 20-Nanometer-Verfahren hergestellt wurden. 2017 sollen dann die 256-GByte-3DS-DRAM-Module der 10-nm-Klasse Verwendung finden. Mit ihnen soll sich die gesamte Systemleistung und Energieeffizienz weiter verbessern.
[mit Material von Bernd Kling, ZDNet.de]
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