Infineon scheitert mit Wolfspeed-Übernahme

Die geplante Übernahme des Halbleiterspezialisten Wolfspeed durch Infineon ist geplatzt. Das teilt der Wolfspeed-Mutterkonzern Cree mit. Als Grund nennt Cree ein Veto der US-Behörden. Die hätten Sicherheitsbedenken angemeldet.

Daher wurden jetzt die Transaktion abgebrochen, wie Cree mitteilt. Nun wolle sich Cree wieder vermehrt dem Wachstum von Wolfspeed widmen. Wolfspeed werde als eigene Einheit weitergeführt.

Nachdem die beiden Aufsichtsräte der Übernahme zuvor zugestimmt hatten und der Deal eigentlich bereits Ende 2016 abgeschlossen sein sollte, kam das Veto der CFIUS für die Bayern recht überraschend.

Allerdings war Infineon bereits im Vorfeld wenig optimistisch, dass man mit der geplanten Übernahme durchkomme. So erklärte etwa Vorstandschef Reinhard Ploss auf der Hauptversammlung am Donnerstag im Vorfeld der Meldung, die aktuelle Situation biete wohl nur eine extrem geringe Wahrscheinlichkeit auf eine Umsetzung.

Das Veto ist wohl vor allem darauf zurückzuführen, dass Wolfspeed auch militärische Anwendungen ausstattet. Daher sah die US-Behörden CFIUS die nationale Sicherheit gefährdet. Nun ist die geplante, rund 850 Millionen Dollar teure Übernahme, gescheitert. Der Wolfspeed-Mutterkonzern teilt mit, dass Infineon nun eine Vertragsstrafe von 12,5 Millionen Dollar an das Unternehmen bezahlen muss.

Infineon, das unter anderem in der Autobranche eine starke Marktposition hält, wollte mit dem kauf unter anderem kleinere und effizientere Ladegeräte für Elektroautos realisieren. Auch als Lieferant von Technologien für den Mobilfunkstandard 5G hätte sich Infineon durch den Kauf des Spezialisten für Leistungshalbleiter und Hochfrequenz-Leistungsbauelemente gestärkt.

Zudem hätte sich Infineon so das umfassendste Portfolio bei Leistungshalbleiter-Lösungen auf Basis von Siliziumkarbid (SiC), Galliumnitrid auf Silizium (GaN-auf-Si) und Galliumnitrid auf Siliziumkarbid (GaN-auf-SiC) gesichert. Auch bei Leistungshalbleiter und HF-Leistungsbauelementen hat Wolfspeed eine führende Stellung im Markt.

Der Bereich Leistungselektronik auf Basis von Verbindungshalbleitern erlaube Lösungen mit höherer Energieeffizienz, geringerem Platzbedarf und niedrigeren Systemkosten. Das gemeinsame Portfolio könne den Beteiligten zufolge die Entwicklung von Lösungen weiter beschleunigen. Beispielsweise lassen sich diese speziellen Leistungshalbleiter in der Automobilindustrie bei Elektrofahrzeugen einsetzen.

Der Bereich Hochfrequenz Leistungsbauelemente hingegen wird bei den nächsten Mobilfunkstandards wie 5G zum Einsatz kommen. Hier werden Frequenzen von 80 Gigahertz verwendet, die sich laut Infineon nur über modernste Verbindungshalbleiter sinnvoll umsetzen lassen. SiC- und GaN-basierte Produkte hätten neben der Elektromobilität und den dafür benötigten Ladesystemen auch für leistungsstarke Photovoltaik-Umrichter ermöglicht.