Samsung nimmt Serienfertigung von V-NAND der vierten Generation auf

Samsung hat die Massenprodukten von V-NAND-Flash-Speicher mit 256 GBit je Chip angekündigt, der in 64 Schichten gestapelt wird. Zum Ende des Jahres will der koreanische Hersteller über 50 Prozent seiner monatlichen NAND-Flash-Produktion auf den 64-Schichten-Chip umstellen, der als V-NAND der vierten Generation (V4) bezeichnet wird. Damit will er seinen Wettbewerbsvorsprung im Speichermarkt festigen.

Nachdem der neue Speichertyp seit Januar in einer SSD für ausgewählte Kunden ausgeliefert wurde, soll er jetzt in einer breiteren Palette von Speicherlösungen für Server, PC und Mobilgeräte zum Einsatz kommen. Dazu zählen Embedded-UFS-Speicher, SSD-Modelle und externe Speicherkarten, die später in diesem Jahr eingeführt werden.

Der Hersteller gibt für sein 64-Schichten-V-NAND eine Übertragungsgeschwindigkeit von 1 GBit/s und damit die schnellste Transferrate bei derzeit erhältlichem NAND-Flash-Speicher an. Er verspricht eine Leistungssteigerung um mehr als 30 Prozent bei einer gleichzeitig um 30 Prozent verbesserten Energieeffizienz im Vergleich zum vorhergehenden V-NAND mit 48 Schichten. Dabei half die von 3,3 Volt auf 2,5 Volt reduzierte Betriebsspannung.

Darüber hinaus sollen die Zellen um rund 20 Prozent zuverlässiger sein. Samsung erwartet, dass sich die Speicherbranche künftig vor allem auf hohe Leistung und Zuverlässigkeit konzentrieren wird. Auch Rivalen wie Toshiba bereiten bereits die Auslieferung von V-NAND mit 64 Schichten vor. SK Hynix bietet derzeit 48 Schichten und will später in diesem Jahr auf 72 Schichten erhöhen.

Gegenüber der planaren, zweidimensionalen Bauweise sind die Speicherzellen bei V-NAND übereinander angeordnet und vertikal miteinander verbunden. Samsung verweist auf 15 Jahre Forschung für seine proprietäre V-NAND-3D-Struktur, die zu über 500 eingereichten Patenten führten. Bei 64 Schichten soll es nicht aufhören – vielmehr soll die zugrundeliegende Technologie die Herstellung von Chips mit einer Kapazität von jeweils 1 Terabit erlauben, indem 90 Lagen übereinander gestapelt werden.