Intel will mit dem Ruler-Formfaktor traditionelle 2,5-Zoll- und 3,5-Zoll-Festplatten sowie Add-in-Karten in Rechenzentren ablösen. (Bild: Intel)
Intel will mit einem neuen Formfaktor
die Speicherkapazität von Massenspeichern im Rechenzentrum optimieren. Der neue Formfaktor “Ruler” bietet bis zu 1 Petabyte (1000 TByte) Massenspeicher in einem 1HE-Server-Rack. Darüber hinaus bietet das Unternehmen neue Dual-Port-SSDs, die entweder Intels Optane-Technik oder Intel 3D-NAND-Flash verwenden.
Mit den neuen Ruler-Speichern sollen 2,5-Zoll- und 3,5-Zoll-Festplatten sowie Add-in-Karten in Rechenzentren abgelöst werden. “Der neue Formfaktor bietet die größte Speicherkapazität für einen Server, zusammen mit den geringsten Anforderungen an Kühlung und Energieversorgung”, kommentiert Bill Leszinske, Vice President der Non-Volatile Memory Solutions Group bei Intel. “Daten treiben alles an, was wir machen – von finanziellen Entscheidungen bis Virtual Reality Gaming, und vom autonomen Fahren bis zum maschinellen Lernen – und Storage-Innovationen von Intel wie diese garantieren einen unglaublich schnellen und zuverlässigen Zugriff auf diese Daten.”
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1 Petabyte ist laut Intel ausreichend, um 300.000 HD-Filme mit einer Laufzeit von insgesamt rund 70 Jahren zu speichern. Ruler-SSDs sollen “in naher Zukunft” mit Intel Optane und 3D-NAND-Flash verfügbar sein.
Im dritten Quartal werde Intel das Angebot um Dual-Port-SSDs erweitern. Sie sollen eine hohe Redundanz und Ausfallsicherheit bieten, um Störungen von kritischen und hochverfügbaren Applikationen zu verhindern. Das Unternehmen positioniert die neuen Modellreihen SSD DC D4500, D4502 und D4600 als Alternativen zu SAS-SSDs und –HDDs. Sie sollen mehr IOPS, eine höhere Bandbreite und geringere Latenzen als SAS-SSDs bieten.
Neue SSDs mit SATA-Interface stehen bereits jetzt zur Verfügung. Die gibt es in Kapazitäten von 240 GByte bis 1,9 TByte (DC S4600) beziehungsweise bis 3,8 TByte (DC S4500) im klassischen 2,5-Zoll-Gehäuse mit einer Höhe von 7 Millimetern. Die sequentielle Leseleistung spezifiziert Intel mit 500 MByte pro Sekunde. 490 MByte/s werden beim sequentiellen Schreiben von Daten auf der 3D-NAND-TLC-Flash basierten Platte erreicht.
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