Samsung stellt GDDR6-DRAM mit Datenrate von 24 Gbit/s vor
Gegenüber der Vorgängergeneration beträgt der Leistungszuwachs 30 Prozent. Die neuen GDDR6-Chips sind zudem energieeffizienter.
Samsung hat neue GDDR6-DRAM-Speicherbausteine entwickelt, die eine Datenrate von 24 Gbit/s erreichen. Sie sind für Premium-Grafikkarten gedacht, die mit diesen Speicherbausteinen bis zu 1,1 TByte Daten innerhalb einer Sekunde verarbeiten können. Laut Samsung entspricht dies 275 Spielfilmen in einer Full-HD-Auflösung in einer Sekunde.
Die DRAM-Speicherbausteine bestehen auf 16-Gbit-Chips, die wiederum mit der dritten Generation von Samsungs 10-Nanometer-Prozess gefertigt wurden. Das Verfahren basiert nach Unternehmensangaben auf Extreme-Ultraviolet-Lithografie (EUV). Um höhere Spannungen verwenden zu können, setzt Samsung zudem auf High-K-Metal-Gates statt herkömmlichen Siliziumdioxid.
Die Änderungen sollen gegenüber den bisher angebotenen GDDR6-DRAM-Chips mit 18 Gbit/s eine um 30 Prozent höhere Geschwindigkeit erlauben – eben besagte 24 Gbit/s.
Außerdem sollen die neuen Speicherchips den jüngsten Standards für GDDR6 DRAM entsprechen, die vom Joint Electron Device Engineering Council (JEDEC) aufgestellt werden. Das soll es Anbietern von Grafik- und AI-Beschleunigern ermöglichen, ohne großen Aufwand die neuen Chips in ihre Produkte zu integrieren.
Laut Samsung bieten die neuen Chips aber nicht nur eine höhere Datenrate, sondern auch mehr Energieeffizienz. Zu diesem Zweck wurde die Mindestarbeitsspannung von 1,35 Volt auf 1,1 Volt reduziert. Beim Einsatz in mobilen Geräten sollen die Speicherbausteine längere Akkulaufzeiten ermöglichen.
Dem Markt für Hochleistungs-DRAM-Speicherchips wird für die kommenden Jahre ein jeweils zweistelliges Wachstum vorhergesagt. Samsung geht davon aus, das die neuen GDDR6-Speicherbausteine ihren Weg in PCs, Notebooks, Spielkonsolen, High Performance Computing und auch Elektrofahrzeuge sowie autonome Fahrzeuge finden werden.
