Samsung hat den Bau einer neuen Forschungseinrichtung für fortschrittliche Chips angekündigt. Bis 2028 sollen rund 20 Billionen Won (15 Milliarden Dollar) in das Projekt fließen. Der Forschungskomplex entsteht am Standort Giheung. Ziel ist es, neue innovative Technologien und Fertigungsprozesse für Speicher- und System-Halbleiter zu entwickeln.
“Wir stellen uns einer neuen Herausforderung an dem Ort, an dem wir vor 40 Jahren den ersten Spatenstich für den Bau unseres ersten Halbleiterwerks gesetzt haben”, sagte Vice Chairman Jay Y Lee, der de facto der Chef von Samsung ist, bei der Grundsteinlegung. “Hätten wir nicht mutig in Forschung und Entwicklung für die nächste Generation von Produkten und in Produkte, die danach kamen, investiert, gäbe es heute kein Halbleitergeschäft für Samsung. Wir müssen unsere Tradition fortsetzen, präventiv zu investieren und den Schwerpunkt auf Technologie zu legen”, fügte er hinzu.
Die Forschungseinrichtung soll eine Fläche von 109.000 Quadratmetern belegen. Samsung erklärte, es wolle mit der Errichtung des Komplexes “die Grenzen der Halbleiterskalierung überwinden und seinen Wettbewerbsvorteil in der Halbleitertechnologie festigen”.
Das Unternehmen wies darauf hin, dass auf dem Campus in Giheung 1992 der weltweit erste 64-MB-DRAM-Chip entwickelt wurde. Im Jahr darauf stieg Samsung zum weltgrößten Hersteller von Speicherchips auf, eine Position, die es bis heute hält.
Im Juni erreichte das koreanische Unternehmen mit dem Start der Massenproduktion von Chips in einem 3-Nanometer-Verfahren einen weiteren Meilenstein. Die Chipkrise der vergangenen Jahr verhalf Samsungs-Chipsparte zudem zu einem deutlichen Wachstum. Im zweiten Quartal war der Geschäftsbereich für rund zwei Drittel des operativen Gewinns des Elektronikkonzerns verantwortlich.
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