Samsung erreicht 8,5 GBit/s mit LPDDR5X-RAM

Samsung hat nach eigenen Angaben einen Geschwindigkeitsrekord für Low Power DDR5-Speicherbausteine erzielt. In Kombination mit Qualcomms Mobilplattform Snapdragon erreichte ein LPDDR5X-DRAM-Chip nun eine Datenübertragungsrate von 8,5 GBit/s. Erreicht wurde der neue Höchstwert durch Optimierungen der Signalumgebung zwischen Anwendungsprozessor und Speicher.

Im März hatte Samsung bereits mit 7,5 GBit/s einen Rekord aufgestellt – der nun nach nur fünf Monaten überboten wurde. Mit Speicherbausteinen des Standards LPDDR5 bot Samsung zuvor eine Datenübertragungsrate von bis zu 6,4 GBit/s an.

Low-Power-Speicherbausteine sind in erster Linie auf mobile und portable Geräte ausgerichtet. Samsung zufolge bietet die erneute Beschleunigung der Datenübertragung zwischen Prozessor und RAM die Möglichkeit, diese Bausteine auch in anderen Bereichen wie Consumer-PCs, Automotive oder auch Client- und Datacenter-Systeme einzusetzen.

In autonomen Fahrzeugen sollen die neuen Speicherbausteine helfen, die großen Mengen an Fahrzeugdaten schneller zu verarbeiten. In Rechenzentren und Edge-Servern wiederum sollen sie zu einem geringeren Energieverbrauch beitragen und somit die Gesamtbetriebskosten senken.

“Die gemeinsame Validierung von 8,5 GBit/s LPDDR5X DRAM hat es uns ermöglicht, die marktweite Verfügbarkeit dieser Hochgeschwindigkeits-Speicherschnittstelle um mehr als ein Jahr zu beschleunigen. Das ist eine enorme Leistung, die durch unsere langjährige Zusammenarbeit mit Qualcomm Technologies möglich wurde”, sagte Daniel Lee, Executive Vice President des Memory Product Planning Teams bei Samsung Electronics.

“Wir sind die ersten in der Mobilfunkbranche, die das neueste LPDDR5X mit 8,5 GBit/s auf Snapdragon-Mobilplattformen ermöglichen, was das Nutzererlebnis mit neuen Funktionen und verbesserter Leistung für Mobil-, Spiele-, Kamera- und KI-Anwendungen verbessern wird”, kommentiert Ziad Asghar, Vice President of Product Management bei Qualcomm.