Western Digital stellt UFS-NAND mit 96-Layer-Technologie vor
Das Embedded Flash Drive erreicht eine sequentielle Schreibgeschwindigkeit von bis zu 550 MByte/s. Laut Hersteller ist es “optimiert für datenintensive mobile High-End-Geräte”. Erste Muster gehen an OEM-Hersteller.
Bei seinem neuen Flash-Speicher iNAND MC EU321 setzt Western Digital als erster Hersteller 3D-NAND nach der Spezifikation UFS 2.1 mit 96-Layer-Technologie ein und geht damit in die Serienproduktion. MC EU321 wurde laut Hersteller “optimiert für datenintensive mobile High-End-Geräte”. Das Embedded Flash Drive (EFD) soll damit eine höhere sequentielle Schreibgeschwindigkeit von bis zu 550 MByte/s erreichen, um dem Leistungsbedarf von High-End-Smartphones sowie Tablets und PCs der nächsten Generation zu entsprechen.
Erste Muster verschickt Western Digital bereits an OEM-Hersteller. Bei den lieferbaren Package-Kapazitäten bleibt es trotz höherer Speicherdichte bei 32 bis 256 GByte wie bei den bisherigen 64-Layer-Lösungen. Noch nicht bekannt ist, wann die ersten Geräte mit 96-Layer-UFS-NAND in den Handel kommen.
Mit dem neuen EFD ergänzt der Hersteller die Palette seiner iNAND-Produkte, die seit über zehn Jahren in Smartphones und Tablets zum Einsatz kommen. Steigenden Bedarf erwartet er, da sich aktuelle Entwicklungen wie 5G, 4K-Video, künstliche Intelligenz, Augmented Reality und Virtual Reality auf das Leistungsspektrum von Smartphones, Tablets und Notebooks auswirken.
“Mit unserer 3D-NAND-Technologie steht den Anwendern eine höhere integrierte Speicherkapazität zur Verfügung, um ihre Datenansprüche während des gesamten Lebenszyklus eines Smartphones zu erfüllen”, lässt sich Western-Digital-Manager Oded Sagee zitieren. “Darüber hinaus ist das Western Digital iNAND MC EU321 EFD speziell dafür entwickelt, eine hohe Leistung aufrecht zu erhalten, während die Leistung von Geräten mit traditioneller Speicherarchitektur nahe der Kapazitätsgrenze abzunehmen beginnt. Nutzern wird dadurch ermöglicht, weiterhin ihre digitalen Erlebnisse zu dokumentieren und sie zu bewahren und genießen zu können.”
In der ersten Jahreshälfte 2018 wiesen Smartphones 40 Prozent mehr integrierte Speicherkapazität auf im Vergleich zur ersten Hälfte des Vorjahres – ein durchschnittliches Plus von 51 GByte. Die Speicherkapazität von NAND-Flash wird laut Counterpoint Research zwischen 2017 und 2021 um durchschnittlich 28 Prozent im Jahr zunehmen.
