Press release

Transphorm-Webinar: Verständnis der Qualität und Zuverlässigkeit von Hochspannungs-GaN-FETs in Energieanwendungen

Redaktion,
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Präsentiert von Businesswire

Transphorm:

WAS:

Kostenloses Live-Webinar

 

„Verständnis der Qualität und Zuverlässigkeit von Hochspannungs-GAN-FETs in Energieanwendungen“

 

 

WANN:

25. Juli 2019 um 14.00 Uhr. EDT (11.00 Uhr PDT / 20.00 Uhr MESZ)

 

LÄNGE:

1 Stunde, inklusive Frage- und Antwortrunde

 

 

WER:

Ron Barr, stellvertretender Leiter für Qualität + Verlässlichkeit, Transphorm

 

Philip Zuk, stellvertretender Leiter für technisches Marketing weltweit und NA-Vertrieb, Transphorm

 

 

WARUM:

Immer mehr Energieanwendungen verwenden Hochspannungs-GaN-Transistoren, um die Leistungsdichte zu erhöhen sowie die Systemgröße und Kosten zu reduzieren. GaN-FETs sind für viele Ingenieure jedoch noch recht neu. Dies kann zu allgemeinen Wissenslücken und zum Austausch von Fehlinformationen führen. Wichtig: Da GaN-Geräte nicht die gleiche Leistung wie Silizium-Geräte erbringen, unterscheidet sich ihr Validierungstest von dem, was heute allgemein unter Tests zu Qualität und Verlässlichkeit (Quality + Reliability, Q+R) verstanden wird. Es ist notwendig, diese Unterschiede zu verstehen, um genau zu bestimmen, welche GaN-FETs verwendet werden sollen; geeignete Designkonfigurationen; und die Lebensdauer des Produkts—der Faktor, der von den Produktherstellern zur Bewertung von Gewährleistungsrisiken verwendet wird.

KERNPUNKTE:

  • Einführung in die 650-V- und 900-V-Produktlinien von Transphorm, Differenzierung der GaN-Plattform und Vorteile, die durch Kundenendprodukte in der Produktion gezeigt werden.
  • Erläuterung der Validierungstests zur Bestimmung von Q+R mit Begründung.
  • Erläuterung, wie diese Tests durchgeführt werden, um die Genauigkeit der Ergebnisse zu gewährleisten.
  • Q+R-Benchmark-Ergebnisse basierend auf der JEDEC-Qualifikation von Transphorm, erweiterten JEDEC-und AEC-Q101-Qualifikationstests.
  • Ein unverzichtbarer Leitfaden für GaN Q+R für die zukünftige Transistorauswahl.

WER TEILNEHMEN SOLLTE: Inhalte geeignet für Ingenieure, die GaN-basierte Energiesysteme erforschen oder entwickeln und Entscheidungsträger, die innovative Endprodukte wie Adapter, Kfz-Ladegeräte und Stromversorgungssysteme, Industrie-Netzgeräte, PC-Gaming-Netzgeräte, Dreiphasen-Netzgeräte usw. entwickeln.

ANMELDUNG: Klicken Sie hier, um sich zu registrieren oder besuchen Sie https://www.globalspec.com/events/eventdetails?eventId=2564.

Willkommen bei der GaN-Revolution!

Transphorm konstruiert und fertigt 650-V- und 900-V-GaN-Halbleiter mit höchster Leistung und Zuverlässigkeit für Stromwandlungsanwendungen mit Hochspannung. Transphorm verfügt über das größte IP-Portfolio (mehr als 1000 erteilte und angemeldete Patente weltweit) und produziert die branchenweit ersten JEDEC- und AEC-Q101- qualifizierten GaN-FETs. Dies beruht auf dem vertikal integrierten Geschäftsansatz, der Innovationen in jeder Phase der Entwicklung zulässt: Konstruktion, Herstellung, Geräte- und Anwendungsunterstützung. Transphorm: Leistungselektronik, die über die Begrenzungen von Silicium hinausgeht. Website: transphormusa.com Twitter: @transphormusa

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