Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN), ein weltweit führender Anbieter von robusten GaN-Leistungshalbleitern – der Zukunft der nächsten Generation von Stromversorgungssystemen –, stellte heute den SuperGaN® TOLT-FET vor. Mit einem On-Widerstand von 72 Milliohm ist der Transistor TP65H070G4RS das branchenweit erste oberseitig gekühlte GaN-Bauteil im JEDEC-konformen (MO-332) TOLT-Gehäuse. Das TOLT-Gehäuse bietet Kunden, deren Systemanforderungen eine konventionelle Oberflächenmontage mit unterseitiger Kühlung nicht zulassen, zusätzliche Flexibilität beim Wärmemanagement. Die thermische Leistung des TOLT ist mit den gängigen thermisch robusten TO-247-Durchsteckgehäusen vergleichbar und bietet den zusätzlichen Vorteil eines hocheffizienten Herstellungsprozesses dank der SMD-basierten Leiterplattenmontage (PCBA).
Der TP65H070G4RS nutzt die robuste, leistungsstarke, normal ausgeschaltete 650-Volt-D-Mode-GaN-Plattform von Transphorm, die im Vergleich zu Silizium, Siliziumkarbid und anderen GaN-Lösungen eine verbesserte Effizienz durch geringere Gate-Ladung, Ausgangskapazität, Crossover-Verluste, Reverse-Recovery-Ladung und dynamischen Widerstand bietet. Die Vorteile der SuperGaN-Plattform in Kombination mit den besseren thermischen Eigenschaften des TOLT und der Flexibilität bei der Systemmontage resultieren in einer leistungsstarken und zuverlässigen GaN-Lösung für Kunden, die Leistungssysteme mit höherer Leistungsdichte und Effizienz bei insgesamt niedrigeren Systemkosten auf den Markt bringen wollen.
Bei Hochleistungs-GaN arbeitet Transphorm mit mehreren globalen Partnern zusammen, darunter führende Kunden im Bereich der Server- und Speicherleistung, ein weltweit führender Anbieter von Energie-/Mikrowechselrichtern, ein innovativer Hersteller von netzunabhängigen Stromversorgungslösungen sowie ein führendes Satellitenkommunikationsunternehmen.
„Oberflächenmontierbare Bauteile wie der TOLL und der TOLT bieten verschiedene Vorteile, wie etwa eine geringere interne Induktivität und eine einfachere Leiterplattenmontage während der Fertigung. Der TOLT trägt zu einem flexibleren Wärmemanagement bei, das aufgrund der Top-Side-Kühlung eine dem Durchsteckgehäuse vergleichbare thermische Leistung aufweist“, so Philip Zuk, SVP Business Development und Marketing, Transphorm. „Diese Bauteile kommen häufig in Systemanwendungen mit mittleren bis hohen Leistungsanforderungen in wichtigen Marktsegmenten wie High-Performance-Computing (Server, Telekommunikation, KI Power), erneuerbare Energien und Industrie sowie Elektrofahrzeugen zum Einsatz, von denen einige schon heute mit unserer GaN-Technologie betrieben werden. Wir freuen uns, unseren Kunden mit den TOLT SuperGaN-Lösungen zusätzliche Vorteile auf Systemebene anbieten zu können.“
Die heutige Produkteinführung folgt auf die kürzliche Marktpremiere der drei neuen TOLL-FETs von Transphorm. Durch die Ergänzung des TOLT erweitert sich das Produktangebot des Unternehmens erneut. Seine Verfügbarkeit unterstreicht die Anstrengungen von Transphorm, auf Kundenwünsche einzugehen, indem es seine SuperGaN-Plattform in verschiedenen Gehäusen über den gesamten Leistungsbereich anbietet.
Bauteilspezifikationen
SuperGaN-Bauteile sind marktführend und unübertroffen:
- Zuverlässigkeit bei < 0,05 FIT
- Gate-Sicherheitsmarge bei ± 20 V
- Noise immunity at 4 V
- Temperaturkoeffizient des Widerstands (TCR) um 20 % niedriger als beim normal ausgeschalteten E-Mode-GaN
- Antriebsflexibilität mit handelsüblichen Siliziumtreibern
Das robuste 650-V-SuperGaN-TOLT-Bauteil ist JEDEC-konform. Da die normal ausgeschaltete D-Mode-Plattform den GaN-HEMT mit einem integrierten Niederspannungs-Silizium-MOSFET kombiniert, lassen sich die SuperGaN-FETs problemlos mit handelsüblichen Gate-Treibern ansteuern. Sie können in verschiedenen hart und weich schaltenden AC/DC-, DC/DC- und DC/AC-Topologien verwendet werden, um die Leistungsdichte zu erhöhen und zugleich die Systemgröße, das Gewicht und die Gesamtkosten zu reduzieren.
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Bauteil |
Abmessungen (mm) |
RDS(on) (mΩ) typ. |
RDS(on) (mΩ) max. |
Vth (V) typ. |
Id (25 °C) (A) max. |
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TP65H070G4RS |
10 x 15 |
72 |
85 |
4 |
29 |
Verfügbarkeit und ergänzende Ressourcen
Das TP65H070G4RS SuperGaN TOLT-Bauteil ist derzeit als Muster erhältlich. Um ein Produkt zu erhalten, senden Sie eine Anfrage unter https://www.transphormusa.com/en/products/.
Das Datenblatt des TP65H070G4RS finden Sie hier: https://www.transphormusa.com/en/document/datasheet-tp65h070g4rs/
Über Transphorm
Transphorm, Inc., ein weltweit führendes Unternehmen in der GaN-Revolution, entwickelt und fertigt hochleistungsfähige und hochzuverlässige GaN-Halbleiter für Hochspannungs-Leistungswandler. Mit einem der größten Power-GaN-IP-Portfolios von mehr als 1.000 eigenen oder lizenzierten Patenten produziert Transphorm die branchenweit ersten JEDEC- und AEC-Q101-qualifizierten Hochspannungs-GaN-Halbleiterbauteile. Das Geschäftsmodell des Unternehmens für vertikal integrierte Geräte fördert Innovationen in allen Phasen der Entwicklung: Konstruktion, Fertigung, Geräte- und Anwendungsunterstützung. Die Innovationen von Transphorm bringen die Leistungselektronik über die Grenzen von Silizium hinaus und erreichen einen Wirkungsgrad von über 99 %, eine 50 % höhere Leistungsdichte und 20 % niedrigere Systemkosten. Transphorm hat seinen Hauptsitz in Goleta, US-Bundesstaat Kalifornien, und betreibt Produktionsstätten in Goleta und Aizu, Japan. Weitere Informationen unter www.transphormusa.com. Folgen Sie uns auf Twitter @transphormusa und WeChat @ Transphorm_GaN.
Die Marke SuperGaN ist eine eingetragene Handelsmarke von Transphorm, Inc. Alle anderen Handelsmarken sind das Eigentum ihrer jeweiligen Inhaber.
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