Press release

GaN von Transphorm unterstützt die weltweit ersten integrierten Mikrowechselrichter-Photovoltaiksysteme von DAH Solar Co., Ltd.

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Präsentiert von Businesswire

Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN), ein weltweit führender Anbieter von robusten GaN-Leistungshalbleitern, der Zukunft der nächsten Generation von Stromversorgungssystemen, gab heute den Einsatz seiner GaN-Plattform in den weltweit ersten integrierten Photovoltaiksystemen (PV-Systeme) von DAH Solar Co., Ltd. (Anhui Daheng New Energy Technology Co., LTD – Tochtergesellschaft von DAH Solar) bekannt. Die Photovoltaiksysteme werden in der neuen SolarUnit-Produktreihe von DAH Solar verwendet. DAH Solar hat sich für die GaN-FETs von Transphorm entschieden, da sie die Herstellung kompakterer, leichterer und zuverlässigerer Solarzellensysteme ermöglichen, die zudem eine effektivere Gesamtstromerzeugung bei geringerem Energieverbrauch ermöglichen. Diese Ingenieursleistungen bestätigen den richtungweisenden Transphorm-Ansatz einer GaN-Kernplattform für das gesamte Leistungsspektrum und bekräftigen das Wertversprechen an den Markt für erneuerbare Energien, der derzeit ein GaN-Marktpotenzial von mehr als 500 Mio. US-Dollar bereithält.

DAH Solar verwendet die 150-mΩ- und 70-mΩ-GaN-FETs von Transphorm innerhalb der Architektur der SolarUnits (DC-DC- und DC-AC-Leistungsstufen). Die SolarUnits sind in drei Ausführungen mit einer Leistung von 800 W, 920 W oder 1500 W und Spitzenwirkungsgraden von 97,16 %, 97,2 % bzw. 97,55 % erhältlich. Die GaN-Komponenten ermöglichen höhere Schaltfrequenzen und eine höhere Leistungsdichte im Vergleich zu herkömmlichen Siliziumlösungen. Die beiden FETs werden in PQFN88-Gehäusen angeboten, die sich mit gängigen Gatetreibern kombinieren lassen. Dank dieser Eigenschaft konnte DAH Solar die Entwicklungszeit spürbar verkürzen.

„Wir blicken auf eine lange Tradition in der Herstellung innovativer Photovoltaiksysteme zurück. Daher suchen wir kontinuierlich nach Möglichkeiten, unsere Produkte mit modernsten Technologien weiterzuentwickeln, um ein besseres und effizienteres Endkundenerlebnis bereitzustellen“, so Yong Gu, GM, DAH Solar. „Transphorm ist eine Autorität auf dem Gebiet der GaN-Fertigung, und wir sind fest davon überzeugt, dass ihre modernen GaN-FETs optimal für unsere neue SolarUnit-Produktreihe geeignet sind. Die Bauteile lassen sich problemlos integrieren und bieten erhebliche Leistungsvorteile, die es uns ermöglichen, auf unserer Tradition weiter aufzubauen.“

Eine weitere GaN-Industriepremiere

Transphorm unterstützt heute das breiteste Spektrum an Leistungsumwandlungsspezifikationen (45 W bis 10 kW und höher) für die größte Bandbreite an Leistungsanwendungen. Das FET-Portfolio des Unternehmens umfasst 650-V- und 900-V-Komponenten. 1200-V-Komponenten sind in der Entwicklung. Diese FETs sind JEDEC- und AEC-Q101-zertifiziert und stellen somit optimale Lösungen für Netzteile von Elektrogeräten und Computern bis hin zu industriellen USV und Mobilitätssystemen für Elektrofahrzeuge dar.

Die Innovationskraft des Unternehmens setzt weiterhin neue Maßstäbe in der GaN-Leistungshalbleiterindustrie. Und sie schafft den Kunden die Möglichkeit, neue bahnbrechende Anwendungen auf ihren eigenen Märkten einzuführen – wie etwa die PV-Systeme von DAH Solar. Diese Erfolge beruhen auf der SuperGaN®-Plattform von Transphorm, die mithilfe der Cascode-D-Mode-Konfiguration die intrinsischen Vorteile von GaN nutzbar macht. Die überlegene Physik dieses leistungsstarken GaN-Plattformkonzepts liefert einzigartige Wettbewerbsvorteile wie eine einfachere Ansteuerbarkeit, unkompliziertere Integration, höhere Zuverlässigkeit und bessere Herstellbarkeit.

„Eine Vielzahl von Anwendungen von Marktführern wie DAH Solar demonstrieren den Wert der GaN-Plattform von Transphorm“, so Kenny Yim, Vice President Asia Sales, Transphorm. „Solarwechselrichter und andere Hochleistungsanwendungen benötigen extrem zuverlässige und hocheffektive Leistungshalbleiter, die einem jahrzehntelangen Betrieb unter rauen Umgebungsbedingungen standhalten. Der Einsatz der SuperGaN-Technologie von Transphorm trägt zur Minderung der Verlustleistung bei und verringert so die thermische Belastung anderer integrierter Komponenten. Das ist eine phänomenale Leistung im Vergleich zu anderen GaN- und Silizium-Lösungen auf dem Markt und unterstreicht die Vorteile, die unsere GaN-Komponenten für Energiesysteme der nächsten Generation anbieten.“

Informationen zu Gerät und Produkt

Weitere Informationen über das marktführende GaN-Bauelemente-Portfolio von Transphorm finden Sie unter: https://www.transphormusa.com/en/products/

Weitere Informationen zu den bahnbrechenden integrierten PV-Systemen von DAH Solar finden Sie unter: https://www.dahsolarpv.com/#parentHorizontalTab022

Über Transphorm

Transphorm, Inc., ein weltweit führendes Unternehmen in der GaN-Revolution, entwickelt und fertigt hochleistungsfähige und hochzuverlässige GaN-Halbleiter für Hochspannungs-Leistungswandler. Mit einem der größten Power-GaN-IP-Portfolios von mehr als 1.000 eigenen oder lizenzierten Patenten produziert Transphorm die branchenweit ersten JEDEC- und AEC-Q101-qualifizierten Hochspannungs-GaN-Halbleiterbauelemente. Das Geschäftsmodell des Unternehmens für vertikal integrierte Geräte ermöglicht Innovationen in allen Phasen der Entwicklung: Konstruktion, Fertigung, Geräte- und Anwendungsunterstützung. Die Innovationen von Transphorm bringen die Leistungselektronik über die Grenzen von Silizium hinaus und erreichen einen Wirkungsgrad von über 99 %, eine 50 % höhere Leistungsdichte und 20 % niedrigere Systemkosten. Transphorm hat seinen Hauptsitz in Goleta, Kalifornien, USA, und betreibt Produktionsstätten in Goleta und Aizu, Japan. Weitere Informationen unter www.transphormusa.com. Folgen Sie uns auf Twitter @transphormusa und WeChat @ Transphorm_GaN.

Über DAH Solar Co., Ltd.

DAH Solar Co. Ltd. ist ein innovationsstarker Technologieführer bei der Herstellung von Photovoltaikprodukten. DAH Solar stellt seinen Kunden extrem effiziente PV-Module, hochwertige Solarzellen, integrierte High-Tech-Solarsysteme und leistungsstarke Energiespeicher bereit. DAH Solar betreibt vier Fertigungsstandorte für Hochtechnologieprodukte, die 2023 eine halbjährliche Produktionskapazität für Solarzellen mit 2 GW, PV-Module mit 5 GW (TOPCon PV-Module mit 2,5 GW) sowie TOPCon-Solarzellen mit 3,5 GW bereitstellen. Das innovative Produkt von DAH Solar, das rahmenlose Full-Screen-PV-Modul, ist weltweit in 18 Ländern und Regionen patentiert. Weitere Informationen finden Sie unter https://www.dahsolarpv.com.

Die Marke SuperGaN ist eine eingetragene Handelsmarke von Transphorm, Inc. Alle anderen Handelsmarken sind das Eigentum ihrer jeweiligen Inhaber.

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