Teledyne e2v HiRel erweitert seine branchenführende 650-Volt-Hochleistungs-Produktfamilie auf Basis der GaN-Systemtechnologie um zwei neue, robuste GaN-HEMTs (High Electron Mobility Transistors).
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Teledyne HiRel’s two new GaN HEMTs added to its 650 V Family. (Photo: Business Wire)
Die beiden neuen Hochleistungs-HEMTs TDG650E30B und TDG650E15B bieten eine geringere Stromstärke von 30 bzw. 15 Ampere, während der im letzten Jahr eingeführte ursprüngliche 650-V-Transistor, der TDG650E60, 60 A bietet.
Diese 650-V-GaN-HEMTs sind die GaN-Leistungsgeräte mit der höchsten Spannung auf dem Markt und eignen sich für anspruchsvolle hochzuverlässige Militär-, Avionik- und Raumfahrtanwendungen. Sie eignen sich besonders gut für Anwendungen wie Stromversorgung, Motorsteuerung und Halbbrückentopologien.
Sie werden mit einer bodenseitig gekühlten Konfiguration geliefert und verfügen über einen Island-Technology®-Chip mit extrem niedriger FOM, ein GaNPX®-Gehäuse mit niedriger Induktivität, ultrahochfrequente Umschaltung von > 100 MHz, schnelle und steuerbare Abfall- und Anstiegszeiten, Rückstromfähigkeit und vieles mehr.
„Wir freuen uns, den Ausbau unserer 650-V-Familie von Hochleistungs-GaN-HEMTs für Anwendungen fortzusetzen, die höchste Zuverlässigkeit erfordern, z. B. in der Raumfahrt“, sagte Mont Taylor, Vorstand für Geschäftsfeldentwicklung bei Teledyne e2v HiRel. „Wir denken, dass das kleinere Gehäuse bei diesen neuen Geräten, die für Projekte mit der höchsten Leistungsdichte konzipiert sind, den Kunden wirklich zugute kommen wird.“
Der TDG650E15B und der TDG650E30B sind beide GaN-auf-Silizium-Leistungstransistoren im Anreicherungsmodus, die Hochstrom, einen hohen Spannungsdurchbruch und eine hohe Schaltfrequenz ermöglichen und gleichzeitig einen sehr geringen Wärmewiderstand zwischen Sperrschicht und Gehäuse für Hochleistungsanwendungen bieten.
Galliumnitrid-Geräte haben die Leistungsumwandlung in anderen Branchen revolutioniert und sind jetzt in strahlungstoleranten, kunststoffgekapselten Gehäusen erhältlich, die strengen Zuverlässigkeits- und elektrischen Tests unterzogen wurden, um den unternehmenskritischen Erfolg sicherzustellen. Die Freigabe dieser neuen GaN-HEMTs bietet Kunden die Vorteile für Effizienz, Größe und Leistungsdichte, die für kritische Leistungsanwendungen in Luft- und Raumfahrt- sowie Landesverteidigung erforderlich sind.
Teledyne e2v HiRel führt für alle Produktlinien die anspruchsvollsten Qualifikationen und Tests durch, die auf Anwendungen mit höchster Zuverlässigkeit zugeschnitten sind. Für Leistungsgeräte umfasst dieses Vorgehen Schwefeltest, Höhensimulation, dynamisches Einbrennen, Stufenspannung bis 175 °C Umgebungstemperatur, 9-Volt-Gatespannung und Volltemperaturtest. Im Gegensatz zu Siliziumcarbid-Geräten (SiC) können diese beiden Vorrichtungen leicht parallel implementiert werden, um den Laststrom zu erhöhen oder den effektiven RDSON zu senken.
Beide neuen Geräte können jetzt bestellt und ab sofort käuflich erworben werden.
Über Teledyne e2v HiRel
Die Innovationen von Teledyne e2v HiRel führen die Entwicklungen in Marktbereichen wie Raumfahrt, Transport, Landesverteidigung und Industrie an. Der einzigartige Ansatz von Teledyne e2v HiRel besteht darin, die Markt- und Anwendungsprobleme der Kunden zu verstehen und mit ihnen zusammenzuarbeiten, um innovative Standard-, Semi-Custom- oder Full-Custom-Lösungen bereitzustellen, die ihren Systemen einen Mehrwert verleihen. Weitere Informationen finden Sie unter www.teledynedefelec.com.
Über GaN Systems
GaN Systems ist der weltweit führende Anbieter von GaN-Leistungshalbleitern mit dem größten Portfolio an Transistoren, die speziell auf die Anforderungen der anspruchsvollsten Branchen von heute zugeschnitten sind, darunter Server in Rechenzentren, Systeme für erneuerbare Energien, Automobilindustrie, Industriemotoren und Unterhaltungselektronik. Als marktführender Innovator ermöglicht GaN Systems den Entwurf kleinerer, kostengünstigerer und effizienterer Stromversorgungssysteme. Die preisgekrönten Produkte des Unternehmens bieten Möglichkeiten für das Systemdesign, die frei von den Einschränkungen des gestrigen Siliziums sind. Durch die Änderung der Regeln für die Transistorleistung ermöglicht GaN Systems Energieumwandlungsunternehmen, ihre Branchen zu revolutionieren und die Welt zu verändern. Weitere Informationen finden Sie auf www.gansystems.com, oder folgen Sie GaN Systems auf Facebook, Twitter und LinkedIn.
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