Press release

Transphorm stärkt 900-V-GaN-Portfolio mit zweitem FET

Redaktion,
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Präsentiert von Businesswire

Transphorm Inc., der führende Hersteller von hochzuverlässigen Hochspannungshalbleitern (high-voltage, HV) aus Galliumnitrid (GaN), hat heute seinen zweiten 900-V-FET vorgestellt, den Gen III TP90H050WS, der die einzige 900-V-GaN-Produktlinie der Branche erweitert. Diese Geräte ermöglichen es nun dreiphasigen Industriesystemen und Hochspannungsautomobilelektronik, die Geschwindigkeit, den Wirkungsgrad und die Leistungsdichte von GaN zu nutzen. Darüber hinaus basiert die Plattform des neuen FET auf dem 650-V-Vorgänger von Transphorm, der einzigen JEDEC- und AEC-Q101-qualifizierten HV-GaN-Technologie. So können Systementwickler mit Vertrauen an der Qualität und Zuverlässigkeit des Designs arbeiten.

Der TP90H050WS hat einen typischen On-Widerstand von 50 mOhm bei einer Transientenleistung von 1.000 V, der in einem Standard TO-247-Gehäuse angeboten wird. Der TP90H050WS kann in einer typischen Halbbrücke Leistungsstufen von 8 kW erreichen und dabei einen Wirkungsgrad von mehr als 99 Prozent erzielen. Die Verdienstzahlen für Ron*Qoss (resonante Schalttopologien) und Ron*Qrr (harte Schaltbrücken-Topologien) sind zwei- bis fünfmal geringer als bei herkömmlichen Superjunction-Technologien in der Produktion – was auf stark reduzierte Schaltverluste hindeutet. Während eine JEDEC-qualifizierte Version für Q1 2020 vorgesehen ist, können Kunden heute 900-V-GaN-Systeme entwerfen.

Das erste 900-V-Gerät von Transphorm, das TP90H180PS, mit einem typischen On-Widerstand von 170 mOhm in einem TO-220-Gehäuse, ist JEDEC-qualifiziert und seit 2017 über Digi-Key erhältlich. Er kann einen Spitzenwirkungsgrad von 99 Prozent erreichen und beweist damit seine Eignung für 3,5 kW einphasige Wechselrichter.

Etablierung von GaNs Viabilität in neuen Hochspannungsanwendungen

„Das neueste 900-V-GaN-Produkt von Transphorm stellt einen wichtigen Meilenstein für kommerzielle GaN-Leistungstransistoren dar, da es die 1-Kilovolt-Marke erreicht – eine Branchenneuheit. Dies ebnet den Weg für GaN als praktikable Wahl an diesen Knotenpunkten mit höherer Spannung“, sagte Primit Parikh, Mitbegründer und COO von Transphorm. „Mit einer teilweisen Finanzierung durch die ARPA-E zur frühzeitigen Risikominderung und Power America zur Produktqualifizierung stellt diese Maßnahme eine erfolgreiche öffentlich-private Partnerschaft dar, die die Marktdurchdringung von GaN beschleunigt.“

Die 900-V-Plattform von Transphorm bietet höhere Ausfallraten für Systeme, die bereits von den 650-V-FETs des Unternehmens erfasst werden, wie beispielsweise erneuerbare Energien, Automotive und verschiedene breite industrielle Anwendungen. Sie ist für den Einsatz in brückenlosen Totem-Pole Power Factor Correction (PFC), Halbbrückenkonfigurationen in DC/DC-Wandlern und Wechselrichtern konzipiert. Die Fähigkeit, diese Topologien bei einer höheren Spannung zu unterstützen, erweitert die Zielanwendungen von Transphorm um eine breite Liste von dreiphasigen industriellen Anwendungen, wie unterbrechungsfreie Stromversorgungen und Fahrzeugladegeräte/Konverter an höheren Batteriespannungsknoten.

„900-V-GaN-Leistungsbauelemente beseitigen Barrieren für den Zugriff auf Anwendungen, die derzeit nicht von GaN-Halbleitern unterstützt werden. Mit Innovationen wie dieser 900-V-Plattform treibt Transphorm die Branche voran und schafft neue Kundenmöglichkeiten“, sagte Victor Veliadis, stellvertretender Geschäftsführer und CTO von PowerAmerica, der das Projekt teilweise finanziert hat.

Der TP90H050WS bietet neben den bereits erwähnten Differenzierungsmerkmalen folgende Vorteile:

  • Einfach durch handelsübliche Treiber steuerbar
  • Hoher Sicherheitsspielraum
  • Höhere Leistungsdichte als bestehende Silizium-Technologien
  • Leistungsdaten besser als IGBT, SuperJunction
  • Geringere Gesamtsystemkosten
  • Reduziertes Systemgewicht

Verfügbarkeit

Jetzt Probenahme. Um Teile zu bestellen, besuchen Sie die TP90H050WS Produktseite.

Design-Ressourcen

Über Transphorm

Transphorm konstruiert und fertigt 650-V- und 900-V-GaN-Halbleiter mit höchster Leistung und Zuverlässigkeit für Stromwandlungsanwendungen mit Hochspannung. Mit über 1.000 Patenten produziert das Unternehmen die ersten JEDEC- und AEC-Q101-qualifizierten GaN-FETs der Branche.

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