Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN) ist auf dem Gebiet der fundamental und quantitativ überlegenen GaN-Leistungshalbleiter weltweit führend. Heute gab das Unternehmen die Verfügbarkeit seines Simulationsmodells 1200-V-FET und des vorläufigen Datenblattes bekannt. Der TP120H070WS FET ist der erste seiner Art und der einzige 1200-V-GaN-auf-Saphir-Leistungshalbleiter auf dem Markt. Mit dieser Markteinführung zeigt Transphorm, dass das Unternehmen künftige Stromversorgungssysteme für die Automobilindustrie sowie dreiphasige Stromversorgungssysteme unterstützen kann, die in der Fertigungsindustrie sowie in den Bereichen Datenkommunikation und erneuerbare Energien eingesetzt werden. Dank der höheren Leistungsdichte und Zuverlässigkeit des 1200-V-GaN-Bauelements profitieren diese Anwendungen im Vergleich zu alternativen Technologien von einer vergleichbaren oder gar höheren Leistung zu geringeren Kosten. Transphorm hat kürzlich die höhere Leistung des GaN-Bauelements bei einem 5 kW 5-kW-Abwärtswandler für 900 V mit einer Schaltfrequenz von 100 kHz validiert. Das 1200-V-GaN-Bauelement erzielte einen Wirkungsgrad von 98,7 Prozent und übertraf damit einen SiC-MOSFET mit vergleichbarer Leistung.
Die innovative 1200-V-Technologie stärkt die führende Position von Transphorm auf dem Gebiet der GaN-Leistungswandlung. Durch vertikale Integration, proprietäre Epitaxie und patentierte Prozesse sowie durch sein in jahrzehntelanger Arbeit gewonnenes technisches Know-how ist das Unternehmen in der Lage, das leistungsfähigste GaN-Portfolio auf dem Markt anzubieten. Die Herstellbarkeit, Ansteuerbarkeit, Designfähigkeit und Zuverlässigkeit sind dabei die vier wesentlichen Unterscheidungsmerkmale.
Die Besucher der PCIM 2023 können sich vom 9. bis 11. Mai in Halle 7, Stand 108, über das 1200-V-Bauelement von Transphorm informieren.
Vorläufige Bauteilmodellspezifikationen und Zugangsinformationen
Die 1200-V-Technologie von Transphorm basiert auf einem bewährten, ausgereiften GaN-auf-Saphir-Prozess, der die Anforderungen der Kunden erfüllt und bereits in der Massenproduktion auf dem LED-Markt zum Einsatz kommt. Darüber hinaus nutzt die Technologie die überlegene Normally-Off-GaN-Plattform, die auch im aktuellen Bauelemente-Portfolio des Unternehmens verwendet wird.
Wichtige Spezifikationen des Bauelements TP120H070WS:
- 70 mΩ RDS (ein)
- „Normally-Off“
- Effizienter bidirektionaler Stromfluss
- Gate-Robustheit: ± 20 Vmax
- Geringe Störfestigkeit des Gate-Drive: 4 Vth
- Null QRR
- 3-poliges TO-247-Gehäuse
Das Verilog-A-Bauelementmodell wird für die Verwendung mit dem Circuit Simulator SIMetrix Pro v8.5 empfohlen. Ein LTSpice-Modell befindet sich derzeit in der Entwicklung und wird voraussichtlich im 4. Quartal 2023 verfügbar sein. Durch die Simulationsmodellierung können Stromversorgungssysteme schnell und effizient validiert werden. Dies führt zu weniger Design-Iterationen, kürzeren Entwicklungszeiten und geringeren Hardware-Investitionen.
Die Modelldateien und das Datenblatt können hier heruntergeladen werden: https://www.transphormusa.com/en/products/#models.
1200 V FET-Muster werden voraussichtlich ab dem 1. Quartal 2024 verfügbar sein.
Transphorm GaN in Stromversorgungssystemen und Ladesystemen für den Automotive-Sektor
Das 1200-V-GaN-Bauelement stellt eine optimale Lösung für verschiedene Anwendungen auf dem Markt dar. Für Automobilsysteme bietet es herausragende Vorteile.
In der zweiten Hälfte dieses Jahrzehnts wird die Elektrofahrzeugindustrie voraussichtlich auf 800-V-Batterien umsteigen, insbesondere bei höheren Kilowatt-Leistungen für größere Fahrzeuge. Um die erforderliche Leistung erreichen zu können, werden 1200-V-Leistungswandler eingesetzt. Die 1200-V-Plattform von Transphorm ist daher gut aufgestellt, um bei Bordladegeräten, DC/DC-Wandlern, Antriebsumrichtern und Ladesäulen der nächsten Generation erfolgreich zu sein.
Transphorm bietet für aktuelle Elektrofahrzeugmodelle, bei denen 400-V-Batterien zum Einsatz kommen, 650-V-Normally-Off SuperGaN®-FETs an, die nach AEC-Q101 bis 175 °C qualifiziert sind und in Serie produziert werden.
„Als führendes Unternehmen auf dem Gebiet der Leistungshalbleiter demonstrieren wir das Potenzial von GaN und setzen es um“, so Umesh Mishra, CTO und Mitbegründer von Transphorm. „Dank unserem Know-how bringen wir beispiellose GaN-Bauelemente auf den Markt, die täglich neue Maßstäbe in Bezug auf Leistungsdichte, Performance und Systemkosten setzen. Unsere 1200-V-Technologie ist ein Zeichen für die innovative Vision und die Entschlossenheit unserer Ingenieure. Wir liefern den Beweis, dass GaN sehr einfach in Anwendungsmärkten eingesetzt werden kann, die bisher Siliziumkarbid vorbehalten waren, was unserem Unternehmen und GaN im Allgemeinen ein großes Marktpotenzial eröffnet.“
Über Transphorm
Transphorm Inc., ein weltweit führendes Unternehmen in der GaN-Revolution, entwickelt und fertigt hochleistungsfähige und hochzuverlässige GaN-Halbleiter für Hochspannungs-Stromwandlungsanwendungen. Mit einem der größten Power-GaN-IP-Portfolios von mehr als 1.000 eigenen oder lizenzierten Patenten produziert Transphorm die branchenweit ersten JEDEC- und AEC-Q101-qualifizierten Hochspannungs-GaN-Halbleiterbauelemente. Das Geschäftsmodell des Unternehmens für vertikal integrierte Geräte ermöglicht Innovationen in allen Phasen der Entwicklung: Konstruktion, Fertigung, Geräte- und Anwendungsunterstützung. Die Innovationen von Transphorm bringen die Leistungselektronik über die Grenzen von Silizium hinaus und erreichen einen Wirkungsgrad von über 99 %, eine 50 % höhere Leistungsdichte und 20 % niedrigere Systemkosten. Transphorm hat seinen Hauptsitz in Goleta (Kalifornien/USA) und betreibt Produktionsstätten in Goleta und Aizu (Japan). Weitere Informationen finden Sie unter www.transphormusa.com. Folgen Sie uns auf Twitter @transphormusa und WeChat @ Transphorm_GaN.
Die Marke SuperGaN ist eine eingetragene Handelsmarke von Transphorm, Inc. Alle anderen Handelsmarken sind das Eigentum ihrer jeweiligen Inhaber.
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